Datasheet.kr   

BAV20W 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 BAV20W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAV20W 자료 제공

부품번호 BAV20W 기능
기능 Small Signal Diodes
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


BAV20W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BAV20W 데이터시트, 핀배열, 회로
BAV19W - BAV21W
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
Features
· Fast Switching Speed
· Surface Mount Package Ideally Suited for
Automatic Insertion
· For General Purpose Switching Applications
H
Mechanical Data
· Case: SOD-123, Molded Plastic
· Case Material: UL Flammability Rating
Classification 94V-0
· Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
C
· Polarity: Cathode Band
· Marking: Date Code and Type Code, See Page 2
Type Code: BAV19W: A8 or T2 or T3
BAV20W: T2 or T3
BAV21W: T3
· Weight: 0.01 grams (approx.)
· Ordering Information: See Page 2
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
Forward Continuous Current
IFM
Average Rectified Output Current
IO
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms
@ t = 1.0s
IFSM
Repetitive Peak Forward Surge Current
IFRM
Power Dissipation
(Note 2)
Pd
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)
RqJA
Operating and Storage Temperature Range
Tj , TSTG
A
B
BAV19W
120
100
71
D
G
E
SOD-123
Dim Min Max
A
J
B
3.55
2.55
3.85
2.85
C 1.40 1.70
D ¾ 1.35
E 0.55 Typical
G 0.25 ¾
H 0.15 Typical
J ¾ 0.10
All Dimensions in mm
BAV20W
200
150
106
400
200
2.5
0.5
625
250
500
-65 to +150
BAV21W
250
200
141
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mA
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)
Forward Voltage (Note 1)
Peak Reverse Current
@ Rated DC Blocking Voltage (Note 1)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
BAV19W
BAV20W
BAV21W
Symbol
V(BR)R
VFM
IRM
CT
trr
Min
120
200
250
¾
¾
¾
¾
Max
¾
1.0
1.25
100
15
5.0
50
Unit
V
V
nA
mA
pF
ns
Test Condition
IR = 100mA
IF = 100mA
IF = 200mA
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = 0, f = 1.0MHz
IF = IR = 30mA,
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
Notes:
1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
2. Part mounted on FR-4 PC board with minimum recommended pad layout, which can be found on our website at
http:/www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
DS12024 Rev. 9 - 2
1 of 3
BAV19W - BAV21W





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ BAV20W.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BAV20

General purpose diodes

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BAV20

FAST SWITCHING DIODE

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵