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PDF LTE21015R Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | LTE21015R | |
| Descripción | NPN microwave power transistor | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
LTE21015R
NPN microwave power transistor
Product specification
Supersedes data of June 1992
File under Discrete Semiconductors, SC15
1997 Feb 19
1 page  
Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
Product specification
LTE21015R
handbook, full pagewidth
input
50 Ω
10.5
20
4
2.2 1.4
1.5
7.5
5
16
4
5
output
50 Ω
10 4
8 6.5 8 3
MSA099
Dimensions in mm.
Substrate: Teflon fibreglass.
Thickness: 0.8 mm.
Permittivity: εr = 2.55.
Fig.4 Narrowband test circuit.
3
handbook, halfpage
PL
(W)
2
1
MGL062
(1) (2)
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4
PS (W)
VCE = 16 V; IC = 250 mA (regulated).
In narrowband test circuit as shown in Fig.4
(1) Gpo = 9.5 dB.
(2) PL1 = 1.8 W.
Fig.5 Load power as a function of source power.
1997 Feb 19
5
5 Page 
Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
NOTES
Product specification
LTE21015R
1997 Feb 19
11
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| LTE21015R | NPN microwave power transistor | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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