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부품번호 | DAP208 기능 |
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기능 | Silicon-Twin Diodes Center tap | ||
제조업체 | Diotec Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
Silicon-Twin Diodes
Center tap
DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Silizium-Doppeldioden
Mittelpunktschaltung
Dimensions / Maße in mm
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
1.2 W
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
150 V
3 Pin-Plastic case
3 Pin-Kunststoffgehäuse
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6 g
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 208
DAP 208
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
100
100
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
150
150
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
TU = 25/C
TA = 25/C
IFAV
IFAV
IFAV
IFAV
IFSM
1.0 A 1)
2.0 A 1)
1.0 A 1)
2.0 A 1)
10 A
1) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
354
28.02.2002
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ DAP208.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
DAP201 | Epitaxial Planar Silicon Diode Arrays | ROHM Semiconductor |
DAP201 | Diode Switching 80V 0.1A 3-Pin FTR | New Jersey Semiconductor |
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