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DCR1476SY37 데이터시트 PDF




Dynex Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DCR1476SY37은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DCR1476SY37 자료 제공

부품번호 DCR1476SY37 기능
기능 Phase Control Thyristor
제조업체 Dynex Semiconductor
로고 Dynex Semiconductor 로고


DCR1476SY37 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DCR1476SY37 데이터시트, 핀배열, 회로
DCR1476SY
Replaces January 2000 version, DS4647-5.0
FEATURES
s Double Side Cooling
s High Surge Capability
s High Mean Current
s Fatigue Free
APPLICATIONS
s High Power Drives
s High Voltage Power Supplies
s DC Motor Control
DCR1476SY
Phase Control Thyristor
Advance Information
DS4647-6.0 July 2001
KEY PARAMETERS
V
DRM
IT(AV)
ITSM
dVdt
3800V
2223A
36250A
1000V/µs
dI/dt 300A/µs
VOLTAGE RATINGS
Type Number
DCR1476SY38
DCR1476SY37
DCR1476SY36
DCR1476SY35
DCR1476SY34
Repetitive Peak
Voltages
VDRM VRRM
V
3800
3700
3600
3500
3400
Lower voltage grades available.
Conditions
Tvj = 0˚ to 125˚C,
IDRM = IRRM = 250mA,
VDRM, VRRM tp = 10ms,
VDSM & VRSM =
VDRM & VRRM + 100V
respectively
ORDERING INFORMATION
When ordering, select the required part number shown in the
Voltage Ratings selection table.
For example:
DCR1476SY36
Note: Please use the complete part number when ordering
and quote this number in any future correspondance relating
to your order.
Outline type code: Y
See Package Details for further information.
(The DCR1476 is also available in a thin package, type code V.
Please contact Customer Services for more information).
Fig. 1 Package outline
www.dynexsemi.com
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DCR1476SY37 pdf, 반도체, 판매, 대치품
DCR1476SY
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
IRRM/IDRM
dV/dt
dI/dt
VT(TO)
rT
tgd
t
q
I
L
I
H
Parameter
Conditions
Typ.
Peak reverse and off-state current
At VRRM/VDRM, Tcase = 125oC
-
Maximum linear rate of rise of off-state voltage To 67% VDRM Tj = 125oC.
-
Rate of rise of on-state current
From 67% VDRM to 1000A
Gate source 20V, 10
tr 0.5µs, Tj = 125oC
Repetitive 50Hz
Non-repetitive
-
-
Threshold voltage
At Tvj = 125oC
-
On-state slope resistance
Delay time
Turn-off time
At Tvj = 125oC
VD = 67% VDRM, Gate source 30V, 15
tr = 0.5µs, Tj = 25oC
IT = 1000A, tp = 1ms, Tj = 125˚C,
V
R
=
50V,
dI /dt
RR
=
2A/µs,
V
DR
=
67%
V,
DRM
dV /dt
DR
=
8V/µs
linear
-
-
600
Latching current
T = 25oC, V = 5V
jD
300
Holding current
T
j
=
25oC,
R
g-k
=
-
Max. Units
250 mA
1000 V/µs
150 A/µs
300 A/µs
1.03 V
0.32 m
2.5 µs
800 µs
1000 mA
500 mA
GATE TRIGGER CHARACTERISTICS AND RATINGS
Symbol
Parameter
VGT
IGT
V
GD
V
FGM
VFGN
V
RGM
IFGM
P
GM
PG(AV)
Gate trigger voltage
Gate trigger current
Gate non-trigger voltage
Peak forward gate voltage
Peak forward gate voltage
Peak reverse gate voltage
Peak forward gate current
Peak gate power
Mean gate power
Conditions
VDRM = 5V, Tcase = 25oC
VDRM = 5V, Tcase = 25oC
At V T = 125oC
DRM case
Anode positive with respect to cathode
Anode negative with respect to cathode
Anode positive with respect to cathode
See table, gate characteristics curve
Max. Units
4.0 V
400 mA
0.25 V
30 V
0.25 V
5V
30 A
150 W
10 W
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DCR1476SY37 전자부품, 판매, 대치품
DCR1476SY
PACKAGE DETAILS
For further package information, please contact your nearest Customer Service Centre. All dimensions in mm, unless stated otherwise.
DO NOT SCALE.
Hole Ø3.6 x 2.0 deep (One in each electrode)
Cathode tab
Cathode
Ø112.5 max
Ø73 nom
Ø1.5
Gate
Ø73 nom
Anode
Nominal weight: 1600g
Clamping force: 43kN ±10%
Lead length: 420mm
Lead terminal connector: M4 ring
Package outine type code: Y
(The DCR1476 is also available in a thin package, type code V. Please contact Customer Services for more information).
www.dynexsemi.com
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