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부품번호 | D1008UK 기능 |
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기능 | METAL GATE RF SILICON FET | ||
제조업체 | Seme LAB | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
TetraFET
D1008UK
MECHANICAL DATA
B
(2 pls)
E
A
C2
1
3
54
G (4 pls)
F
K
D
PIN 1
PIN 3
PIN 5
HJ
I
DK
SOURCE (COMMON) PIN 2
DRAIN 2
GATE 1
PIN 4
MN
DRAIN 1
GATE 2
DIM mm
A 6.45
B 1.65R
C 45°
D 16.51
E 6.47
F 18.41
G 1.52
H 4.82
I 24.76
J 1.52
K 0.81R
M 0.13
N 2.16
Tol. Inches Tol.
0.13 0.254 0.005
0.13 0.065R 0.005
5° 45° 5°
0.76 0.650 0.03
0.13 0.255 0.005
0.13 0.725 0.005
0.13 0.060 0.005
0.25 0.190 0.010
0.13 0.975 0.005
0.13 0.060 0.005
0.13 0.032R 0.005
0.02 0.005 0.001
0.13 0.085 0.005
METAL GATE RF SILICON FET
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
80W – 28V – 500MHz
PUSH–PULL
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
APPLICATIONS
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 500 MHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
175W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage *
70V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage *
±20V
ID(sat)
Drain Current *
10A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
* Per Side
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
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D1008UK
GATE BIAS
1nF
6.8K
100K
INPUT
100pF
T1
L1
100pF
T2
T3
6 x 3.5mm
contact pad
2-18pF
6 x 3.5mm
contact pad
6 x 3.5mm
contact pad
D1008
D1008
6 x 3.5mm
contact pad
1nF
L3
L4
10Ω
6.8K 1nF
+28V
100uF
T4
100pF
T6
1-3.5pF
T5
OUTPUT
L2
100pF
D1008UK TEST FIXTURE
Substrate 1.6mm PTFE/glass, Er=2.5
All microstrip lines W=4.4mm
T1 70mm 50Ω UT34 SEMI RIGID COAX
T2,T3 85mm 25Ω UT70-25 SEMI RIGID COAX
T4,T5 100mm 15Ω UT85-15 SEMI RIGID COAX
T6 70mm 50Ω UT85 SEMI RIGID COAX
L1 3.5 turns of 24swg ECW, 3mm ID
L2 5.5 turns of 24swg ECW, 4mm ID
L3 4 turns of 21swg ECW, 7mm ID
L4 3 turns of 21swg ECW on Fair-Rite FT50-75 core
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
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D1008UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
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