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부품번호 | D2003UK 기능 |
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기능 | METAL GATE RF SILICON FET | ||
제조업체 | Seme LAB | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
TetraFET
D2003UK
MECHANICAL DATA
AD
B
H
23
1
54
F
C
G
E
METAL GATE RF SILICON FET
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W – 28V – 1GHz
PUSH–PULL
I
PIN 1
PIN 3
PIN 5
NM
O
DQ
SOURCE (COMMON) PIN 2
DRAIN 2
PIN 4
GATE 1
JK
DRAIN 1
GATE 2
DIM mm
A 16.38
B 1.52
C 45°
D 6.35
E 3.30
F 14.22
G 1.27 x 45°
H 1.52
I 6.35
J 0.13
K 2.16
M 1.52
N 5.08
O 18.90
Tol.
0.26
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
0.13
MAX
0.13
Inches
0.645
0.060
45°
0.250
0.130
0.560
0.05 x 45°
0.060
0.250
0.005
0.085
0.060
0.200
0.744
Tol.
0.010
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
MAX
0.005
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• VERY LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
APPLICATIONS
• VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 50 MHz to 1 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
35W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage *
65V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage *
±20V
ID(sat)
Drain Current *
1A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
* Per Side
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Document Number 3416
Issue 1
D2003UK
G a te - B ia s
1 -1 0 p F
T1
1K 2 100nF 1nF 1K 2 1K 2
T3
30pF
T4
T5 T6
T2
1 -1 0 p F
3 .6 p F
9 .1 p F
30pF
T7 T8 T9 T10
D 2003U K
D 2003U K
L1 L2
T11 T12
3 .6 p F
T14 T15
10
L 3 6 .8 K 1 0 n F
+28V
100uF
T13
30pF
1 -1 0 p F
30pF
T16
T17
1000MHz TEST FIXTURE
Substrate 0.8mm thick PTFE/glass
All microstrip lines W = 2.7mm
T1
T2, T17
T3, T7
T4, T8
T5, T9
T6, T10
T11,T14
T12,T15
T13,T16
15.7
45mm 50 OHM UT 34 semi-rigid coax
7mm
15mm
7.6mm
8mm
8mm
11.2mm
7mm
L1, L2
L3
6 turns 24swg enamelled copper wire, 3mm i.d.
1.5 turn 24swg enamelled copper wire on Siemens B62152-A7X
2 hole core
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Document Number 3416
Issue 1
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