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2SJ107 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ107은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SJ107 자료 제공

부품번호 2SJ107 기능
기능 Silicon P Channel Junction Type Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SJ107 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SJ107 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ107
For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current
and Impedance Converter Applications
2SJ107
Unit: mm
High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (VGS = 25 V)
Low RDS (ON): RDS (ON) = 40 (typ.)
Small package
Complementary to 2SK366
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Gate-drain voltage
Gate current
Drain power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
VGDS
IG
PD
Tj
Tstg
25
10
200
125
55~125
V
mA
mW
°C
°C
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
JEDEC
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
JEITA
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
TOSHIBA
2-4E1C
Weight: 0.13 g (typ.)
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and
estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min Typ. Max Unit
Gate cut-off current
Gate-drain breakdown voltage
Drain current
Gate-source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Drain-source ON resistance
IGSS
VGS = 25 V, VDS = 0
⎯ ⎯ 1.0 nA
V (BR) GDS VDS = 0, IG = 100 μA
25 ⎯ ⎯
V
IDSS
(Note 1)
VDS = −10 V, VGS = 0
2.6 ⎯ −20 mA
VGS (OFF) VDS = −10 V, ID = −0.1 μA
0.2 2.0 V
Yfs
VDS = −10 V, VGS = 0, f = 1 kHz
(Note 2)
12
30
mS
Ciss VDS = −10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
105
pF
Crss
VGD = 10 V, ID = 0, f = 1 MHz
32 pF
RDS (ON) VDS = −10 mV, VGS = 0
(Note 2) 40
Ω
Note 1: IDSS classification GR: 2.6~6.5 mA, BL: 6~12 mA, V: 10~20 mA
Note 2: Condition of the typical value IDSS = −5 mA
1 2007-11-01




2SJ107 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ107
4 2007-11-01

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