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2SJ186 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ186은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SJ186 자료 제공

부품번호 2SJ186 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


2SJ186 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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2SJ186 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ186
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
UPAK
G
21
3
4
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S




2SJ186 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ186
Power vs. Temperature Derating
1.2
0.8
0.4
0 50 100 150
Case Temperature TC (°C)
Typical Output Characteristics
–1.0
–10 V –8 V
–6 V
–0.8
Pulse Test
–0.6
–5 V
–0.4
–0.2
VGS = –4 V
0 –10 –20 –30 –40 –50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Safe Operation Area
–10
–1
–0.1
DC
PW
Oper=at1io0nm(Ts
1 1m0s01µ0sµs
(1 Shot)
–0.01
C = 25°C)
Ta = 25°C
–0.001
–1
–10
–100
–1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
–1.0
–0.8
Typical Transfer Characteristics
VDS = –20 V
Pulse Test –25°C
25°C
TC = 75°C
–0.6
–0.4
–0.2
0 –2 –4 –6 –8 –10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4

4페이지










2SJ186 전자부품, 판매, 대치품
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–1.0
–0.8 Pulse Test
–0.6
–0.4
VGS = –10 V
–0.2
0, 5 V
0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
2SJ186

7페이지


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