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부품번호 | 2SJ186 기능 |
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기능 | Silicon P-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
2SJ186
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
UPAK
G
21
3
4
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S
2SJ186
Power vs. Temperature Derating
1.2
0.8
0.4
0 50 100 150
Case Temperature TC (°C)
Typical Output Characteristics
–1.0
–10 V –8 V
–6 V
–0.8
Pulse Test
–0.6
–5 V
–0.4
–0.2
VGS = –4 V
0 –10 –20 –30 –40 –50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Safe Operation Area
–10
–1
–0.1
DC
PW
Oper=at1io0nm(Ts
1 1m0s01µ0sµs
(1 Shot)
–0.01
C = 25°C)
Ta = 25°C
–0.001
–1
–10
–100
–1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
–1.0
–0.8
Typical Transfer Characteristics
VDS = –20 V
Pulse Test –25°C
25°C
TC = 75°C
–0.6
–0.4
–0.2
0 –2 –4 –6 –8 –10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
4페이지 Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–1.0
–0.8 Pulse Test
–0.6
–0.4
VGS = –10 V
–0.2
0, 5 V
0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
2SJ186
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ180 | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING | NEC |
2SJ181 | Silicon P-Channel MOS FET | Hitachi Semiconductor |
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