|
|
|
부품번호 | 2SJ217 기능 |
|
|
기능 | Silicon P-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
2SJ217
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
November 1996
TO-3P
D
G1
2
3
1. Gate
2. Drain
(Flange)
S
3. Source
Static Drain to Source on State Resistance
RDS (on) (Ω)
Drain to Source Saturation Voltage VDS (on) (V)
Forward Transfer Admittance yfs (nS)
Static Drain to Source on State Resistance
RDS (on) (Ω)
4페이지 2SJ217
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
Vout Monitor
RL
Vin
–10 V
50 Ω
VDD = 30 V
Switching Time Test Waveforms
Vin
10%
Vout
td (on)
90%
10%
tr
90%
90%
td (off)
10%
tf
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2SJ217.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ210 | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING | NEC |
2SJ210 | MOS Fied Effect Transistor | Kexin |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |