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부품번호 | 2SJ222 기능 |
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기능 | Silicon P-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
2SJ222
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
TO-220FM
D 12 3
1. Gate
G 2. Drain
3. Source
S
2SJ222
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0 50 100 150
Case Temperature TC (°C)
–100
–30
–10
–3
–1
Maximum Safe Operation Area
DC OpePraWtio=n1(T01mms1s(010Sµ1hs0otµ) s
C = 25°C)
–0.3 Operation in this area
is limited by RDS (on)
Ta = 25°C
–0.1
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
3
D=1
1.0
0.5
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03 01.0S1hot Pulse
0.01
10 µ 100 µ
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 3.57°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
1
10
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ220 | Silicon P-Channel MOS FET | Hitachi |
2SJ220L | Silicon P-Channel MOS FET | Hitachi |
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