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2SJ222 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ222은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SJ222 자료 제공

부품번호 2SJ222 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


2SJ222 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SJ222 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ222
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
TO-220FM
D 12 3
1. Gate
G 2. Drain
3. Source
S




2SJ222 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ222
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0 50 100 150
Case Temperature TC (°C)
–100
–30
–10
–3
–1
Maximum Safe Operation Area
DC OpePraWtio=n1(T01mms1s(010Sµ1hs0otµ) s
C = 25°C)
–0.3 Operation in this area
is limited by RDS (on)
Ta = 25°C
–0.1
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
3
D=1
1.0
0.5
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03 01.0S1hot Pulse
0.01
10 µ 100 µ
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 3.57°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
1
10
4

4페이지












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