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부품번호 | 2SJ248 기능 |
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기능 | Silicon P-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
2SJ248
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
• Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
TO-220FM
D 12 3
1. Gate
G 2. Drain
3. Source
S
2SJ248
Power vs. Temperature Derating
30
20
10
0
50 100 150
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
–50
–30
10 µ s
–10
–3
–1
–0.3
DC
Operation
Operation
in this area
is limited by
R DS (on)
(Tc
=
25°C)
–0.1 Ta = 25°C
–0.05
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Noremalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
Tc = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
0.01
1 shot Pulse
10 µ
100 µ
θ ch – c(t) = γ s(t) . θ ch – c
θ ch – c = 5.0°C / W. Tc = 25°C
P DM
D
=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ240 | Field Effect Transistor | Toshiba |
2SJ243 | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING | NEC |
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