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2SJ248 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ248은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SJ248 자료 제공

부품번호 2SJ248 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


2SJ248 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SJ248 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ248
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
TO-220FM
D 12 3
1. Gate
G 2. Drain
3. Source
S




2SJ248 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ248
Power vs. Temperature Derating
30
20
10
0
50 100 150
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
–50
–30
10 µ s
–10
–3
–1
–0.3
DC
Operation
Operation
in this area
is limited by
R DS (on)
(Tc
=
25°C)
–0.1 Ta = 25°C
–0.05
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Noremalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
Tc = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
0.01
1 shot Pulse
10 µ
100 µ
θ ch – c(t) = γ s(t) . θ ch – c
θ ch – c = 5.0°C / W. Tc = 25°C
P DM
D
=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
4

4페이지












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