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2SJ346 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 2SJ346 기능
기능 Silicon P Channel MOS Type Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고 


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2SJ346 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
2SJ346
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
· Low threshold voltage: Vth = 0.5~−1.5 V
· High speed
· Small package
· Complementary to 2SK1829
Marking
Equivalent Circuit
2SJ346
Unit: mm
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
DC drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDS
VGSS
ID
PD
Tch
Tstg
Rating
-20
-7
-50
100
150
-55~150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1E
Weight: 0.006 g (typ.)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Gateate leakage current
Drain-source breakdown voltage
Drain cut-off current
Gate threshould voltage
Forward transfer admittance
Drain-source ON resistance
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Output capacitance
Switching time
Turn-on time
Turn-off time
Symbol
Test Condition
IGSS
V (BR) DSS
IDSS
Vth
ïYfsï
RDS (ON)
Ciss
Crss
Coss
ton
toff
VGS = -7 V, VDS = 0
ID = -100 mA, VGS = 0
VDS = -20 V, VGS = 0
VDS = -3 V, ID = -0.1 mA
VDS = -3 V, ID = -10 mA
ID = -10 mA, VGS = -2.5 V
VDS = -3 V, VGS = 0, f = 1 MHz
VDS = -3 V, VGS = 0, f = 1 MHz
VDS = -3 V, VGS = 0, f = 1 MHz
VDD = -3 V, ID = -10 mA,
VGS = 0~-2.5 V
VDD = -3 V, ID = -10 mA,
VGS = 0~-2.5 V
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ -1
-20 ¾
¾
¾ ¾ -1
-0.5 ¾ -1.5
15 ¾ ¾
¾ 20 40
¾ 10.4 ¾
¾ 2.8 ¾
¾ 8.4 ¾
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
¾ 0.15 ¾
¾ 0.13 ¾
ms
1 2003-03-27




2SJ346 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ346
4 2003-03-27

4페이지












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