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2SJ555 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ555은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SJ555 자료 제공

부품번호 2SJ555 기능
기능 Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


2SJ555 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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2SJ555 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ555
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 0.017typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
TO–3P
ADE-208-634A (Z)
2nd. Edition
Jun 1998
D
G
1. Gate
1 2. Drain
S2
(Flange)
3 3. Source




2SJ555 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SJ555
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
–2
–1.6
–1.2
–0.8
ID = –50 A
–0.4
–5 A
–20 A
–10 A
0 –4 –8 –12 –16 –20
Gate to Source Voltage V GS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
50
VGS = –4 V
20
10
–10 V
5
2
1
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Drain Current I D (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
50
I D = –50 A
40 –20 A
VGS = –4 V
30
–50 A
–10 A
20 –10,–20A
10 VGS = –10 V
0
–40 0 40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
30 Tc = –25 °C
25 °C
10
3 75 °C
1
0.3 V DS = –10 V
0.1
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Drain Current I D (A)
4

4페이지










2SJ555 전자부품, 판매, 대치품
2SJ555
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.011shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 1.0 °C/W, Tc = 25 °C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
Vin
-10 V
50
VDD
= –30 V
Waveform
Vin
10%
90%
90%
90%
Vout
td(on)
10%
tr
td(off)
10%
tf
7

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ 2SJ555.PDF 데이터시트 ]

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