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2SJ567 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ567은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SJ567 자료 제공

부품번호 2SJ567 기능
기능 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV)
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SJ567 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SJ567 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ567
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (π-MOSV)
2SJ567
Switching Applications
Chopper Regulator, DC-DC Converter and
Motor Drive Applications
Industrial Applications
Unit: mm
· Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.6 (typ.)
· High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.)
· Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 200 V)
· Enhancement-model: Vth = 1.5 ~ 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
-200
-200
±20
-2.5
-10
20
97.5
-2.5
2.0
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-64
TOSHIBA
2-7B1B
Weight: 0.36 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
6.25
125
°C/W
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature
is below 150°C.
Note 2: VDD = -50 V, Tch = 25°C (initial), L = -25.2 mH, IAR = -2.5 A
RG = 25 W,
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel
temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with
caution.
1
JEDEC
JEITA
SC-64
TOSHIBA
2-7J1B
Weight: 0.36 g (typ.)
2002-08-12




2SJ567 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RDS (ON) – Tc
6
Common source
VGS = -10 V
5 Pulse test
ID = -1.5 A
-1.2
4
3
-1.0
2
1
0
-80 -40
0
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
-10
Common source
Tc = 25°C
Pulse test
IDR – VDS
-1
2SJ567
-0.1
0
-5
0.2
-3
0.4
-1 VGS = 0 V
0.6 0.8
Drain-source voltage VDS (V)
1
Capacitance – VDS
1000
Ciss
100
Coss
10
Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
-0.1
-1
-10
Drain-source voltage VDS (V)
Crss
-100
Vth – Tc
5
Common source
4 VDS = 10 V
ID = 1 mA
Pulse test
3
2
1
0
-80 -40
0
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
PD – Tc
40
30
20
10
0
0 40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
Dynamic input/output characteristics
VDS
-160
-120
-80
-40
VDS = -40 V
-180
VGS
-80
-16
-12
Common source
ID = -2.5 A
Tc = 25°C
Pulse test
-8
-4
0
0 4 8 12 16 20
Total gate charge Qg (nC)
4 2002-08-12

4페이지










2SJ567 전자부품, 판매, 대치품
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