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2SK1061 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SK1061은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SK1061 자료 제공

부품번호 2SK1061 기능
기능 N-CHANNEL MOS TYPE TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SK1061 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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2SK1061 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK1061
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Interface Applications
2SK1061
Unit: mm
Excellent switching times: ton = 14 ns (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 100 mS (min)
Low on resistance: RDS (ON) = 0.6 (typ.)
Enhancement-mode
Complementary to 2SJ167
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
VDS 60 V
Gate-source voltage
VGSS ±20 V
Drain current
DC
Pulse
Drain power dissipation (Ta = 25°C)
Channel temperature
Storage temperature range
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
200
800
300
150
55~150
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-4E1E
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
Weight: 0.13 g (typ.)
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1 2007-11-01




2SK1061 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK1061
4 2007-11-01

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