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부품번호 | 2SK1189 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Sanken electric | ||
로고 | |||
2SK1189
External dimensions 1 ...... FM20
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC)
Symbol
Ratings
Unit
VDSS
60
VGSS
±20
ID ±15
ID (pulse)
±60 (Tch 150ºC)
PD 30 (Tc = 25ºC)
EAS *
6.2
Tch 150
Tstg –55 to +150
*: VDD = 25V, L = 50µH, IL = 12A, unclamped,
See Figure 1 on Page 5.
V
V
A
A
W
mJ
ºC
ºC
Electrical Characteristics
Symbol
Ratings
min typ
V(BR) DSS
60
I GSS
I DSS
VTH 2.0
Re (yfs)
4.2 6.2
RDS (on)
0.07
Ciss 640
Coss
350
ton 110
toff 45
max
±500
250
4.0
0.1
(Ta = 25ºC)
Unit Conditions
V ID = 250µA, VGS = 0V
nA VGS = ±20V
µA VDS = 60V, VGS = 0V
V VDS = 10V, ID = 250µA
S VDS = 10V, ID = 8.0A
Ω VGS = 10V, ID = 8.0A
pF VDS = 25V, f = 1.0MHz,
pF VGS = 0V
ns ID = 8A, VDD = 30V,
VGS = 10V,
ns See Figure 2 on Page 5.
VDS — ID Characteristics
16
14
10V
7V
12
6V
10
8
5.5V
6
4 VGS = 5V
2
0
012 345
VDS (V)
VGS — ID Characteristics
16
VDS = 10V
14
12
10
8
6
25ºC
4 125ºC
2
TC = – 55ºC
0
0 2 4 6 8 10
VGS (V)
ID — RDS (ON) Characteristics
0.10
0.08
VGS =10V
0.06
0.04
0.02
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
ID (A)
ID — Re (yfs) Characteristics
20
10 TC = – 55ºC
25ºC
VDS = 10V
5 125ºC
1
0.5
0.3
0.05 0.1
0.5 1
ID (A)
5 10 20
VGS — VDS Characteristics
3
2
1 ID =15A
ID = 8A
0
5 10 20
VGS (V)
TC — RDS (ON)
0.14
0.12
Characteristics
ID = 8A
VGS =10V
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–50
0 50
Tc (ºC)
100
150
VDS — Capacitance Characteristics
3000
VGS = 0V
f = 1MHz
1000
Ciss
500
Coss
100
50
20
0
Crss
10 20 30 40 50
VDS (V)
VSD — IDR Characteristics
14
12
10
8
10V
6
4 5V
2 VGS = 0V
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD (V)
Safe Operating Area
(Tc = 25ºC)
100
ID (pulse) max
50 ID maRxDSL(IOMNI)TED
1ms100µs
10
5
DC
OPERATION
1
0.5
0.3
0.5 1
5 10
VDS (V)
50 100
Ta — PD Characteristics
30
20
10
Without heatsink
0
0 50 100
Ta (ºC)
150
19
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SK118 | N-CHANNEL JUNCTION TYPE Field Effect Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SK1180 | MOSFET ( Transistor ) | Sanken electric |
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