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Número de pieza | 2SK2735S | |
Descripción | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
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Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS = 20 mΩ typ.
• High speed switching
• 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
DPAK–2
4
4
D
G
S
12 3
12 3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
ADE-208-543
1st. Edition
1 page 2SK2735(L), 2SK2735(S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1 D=1
0.5
Tc = 25°C
0.3
0.1
0.03
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
shot
Pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
Vin
10 V
50Ω
VDD
= 10 V
Waveform
Vin 10%
Vout 10%
90%
td(on)
tr
90%
10%
90%
td(off)
tf
5
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PDF Descargar | [ Datasheet 2SK2735S.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2SK2735 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
2SK2735L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
2SK2735S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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