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부품번호 | 2SK3043 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET | ||
제조업체 | Panasonic Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Power F-MOS FETs
2SK3043
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 100mJ
q VGSS = ±30V guaranteed
q High-speed switching: tf = 35ns
q No secondary breakdown
s Applications
q Contactless relay
q Diving circuit for a solenoid
q Driving circuit for a motor
q Control equipment
q Switching power supply
s Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)
Parameter
Symbol Ratings
Drain to Source breakdown voltage
Gate to Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Avalanche energy capacity
VDSS
VGSS
ID
IDP
EAS*
450
±30
±5
±10
100
Allowable power
dissipation
TC = 25°C
Ta = 25°C PD
35
2
Channel temperature
Storage temperature
Tch 150
Tstg −55 to +150
* L = 8mH, IL = 5A, VDD = 50V, 1 pulse
Unit
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
s Electrical Characteristics (TC = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Drain to Source cut-off current IDSS
Gate to Source leakage current IGSS
Drain to Source breakdown voltage VDSS
Gate threshold voltage
Vth
Drain to Source ON-resistance RDS(on)
Forward transfer admittance
| Yfs |
Diode forward voltage
VDSF
Input capacitance (Common Source) Ciss
Output capacitance (Common Source) Coss
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss
Turn-on time (delay time)
td(on)
Rise time
tr
Turn-off time (delay time)
td(off)
Fall time
tf
VDS = 360V, VGS = 0
VGS = ±30V, VDS = 0
ID = 1mA, VGS = 0
VDS = 25V, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 3A
VDS = 25V, ID = 3A
IDR = 5A, VGS = 0
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz
VGS = 10V, ID = 3A
VDD = 150V, RL = 50Ω
9.9±0.3
unit: mm
4.6±0.2
2.9±0.2
φ3.2±0.1
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
2.6±0.1
0.55±0.15
2.54±0.3
1 2 3 5.08±0.5
1: Gate
2: Drain
3: Source
TO-220D Package
min typ max Unit
0.1 mA
±1 µA
450 V
2 5V
1 1.3 Ω
1.8 2.5
S
−1.2 V
700 pF
100 pF
40 pF
25 ns
45 ns
80 ns
35 ns
1
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SK304 | Silicon N Channel Junction FETs | Kesailun Elctronic |
2SK304 | Low-Frequency Amp Applications | Sanyo Semicon Device |
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