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2SK3554-01 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 2SK3554-01은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SK3554-01 자료 제공

부품번호 2SK3554-01 기능
기능 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


2SK3554-01 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SK3554-01 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK3554-01
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings
TO-220AB
Applications
Switching regulators
UPS (Uninterruptible Power Supply)
DC-DC converters
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain-source voltage
VDS
250 V
VDSX *5
220 V
Continuous drain current
ID
±25 A
Pulsed drain current
ID(puls]
±100
A
Gate-source voltage
VGS
±30 V
Repetitive or non-repetitive
IAR *2
25 A
Maximum Avalanche Energy
EAS *1
372 mJ
Maximum Drain-Source dV/dt
dVDS/dt *4
20 kV/µs
Peak Diode Recovery dV/dt
Max. power dissipation
dV/dt *3
PD Ta=25°C
Tc=25°C
5
2.02
135
kV/µs
W
Operating and storage
Tch
+150
°C
temperature range
Tstg
-55 to +150
°C
*1 L=0.67mH, Vcc=48V *2 Tch<=150°C *3 IF<=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc<=BVDSS, Tch<=150°C
*4 VDS=<250V *5 VGS=-30V
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Item
Drain-source breakdown voltaget
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Avalanche capability
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
IAV
VSD
trr
Qrr
Test Conditions
ID=250µA VGS=0V
ID= 250µA VDS=VGS
VDS=250V VGS=0V
VDS=200V VGS=0V
VGS=±30V VDS=0V
ID=12.5A VGS=10V
Tch=25°C
Tch=125°C
ID=12.5A VDS=25V
VDS=75V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=72V ID=12.5A
VGS=10V
RGS=10
VCC=72V
ID=12A
VGS=10V
L=100µH Tch=25°C
IF=25A VGS=0V Tch=25°C
IF=25A VGS=0V
-di/dt=100A/µs Tch=25°C
Min. Typ. Max. Units
250
3.0
V
5.0 V
25 µA
250
10 100
nA
75 100
m
8 16
2000 3000
S
pF
220 330
15 30
20 30 ns
30 45
60 90
20 30
44 66 nC
14 21
16 24
25 A
1.10
1.65 V
0.45
µs
1.5 µC
Thermalcharacteristics
Item
Thermal resistance
Symbol
Rth(ch-c)
Rth(ch-a)
Test Conditions
channel to case
channel to ambient
Min. Typ.
Max. Units
0.926 °C/W
62.0 °C/W
1




2SK3554-01 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK3554-01
FUJI POWER MOSFET
Transient Thermal Impedance
101 Zth(ch-c)=f(t):D=0
100
10-1
10-2
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
t [sec]
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C. Vcc=48V
102
Single Pulse
101
10-1
100
10-1
10-2
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
t [sec]
AV
100
4

4페이지












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