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2SK365 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 2SK365
기능 Silicon N Channel Junction Type Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
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2SK365 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK365
For Audio Amplifier, Analog-Switch, Constant Current
and Impedance Converter Applications
2SK365
Unit: mm
· High breakdown voltage: VGDS = 50 V
· High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = 30 V)
· Low RDS (ON): RDS (ON) = 80 (typ.) (IDSS = 5 mA)
· Small package
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Gate-drain voltage
Gate current
Drain power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VGDS
IG
PD
Tj
Tstg
Rating
-50
10
200
125
-55~125
Unit
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-4E1C
Weight: 0.13 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min Typ. Max Unit
Gate cut-off current
Gate-drain breakdown voltage
Drain current
Gate-source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Drain-source ON resistance
IGSS
V (BR) GDS
VGS = -30 V, VDS = 0
VDS = 0, IG = -100 mA
¾
-50
IDSS
(Note 1)
VDS = 10 V, VGS = 0
1.2
VGS (OFF)
ïYfsï
Ciss
VDS = 10 V, ID = 0.1 mA
-0.25
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 kHz (Note 2) 5.0
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
¾
Crss
RDS (ON)
VDG = 10 V, ID = 0, f = 1 MHz
VDS = 10 mV, VGS = 0
(Note 2)
¾
¾
¾
¾
¾
¾
19
13
3
80
-1.0
¾
14
-1.5
¾
¾
¾
¾
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
W
Note 1: IDSS classification Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA, BL: 6~14 mA
Note 2: Condition of the typical value IDSS = 5 mA
1 2003-03-26




2SK365 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK365
4 2003-03-26

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