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PDF 3EZ82 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3EZ82 | |
| Descripción | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) | |
| Fabricantes | Diotec Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flächendiffundierte Dioden)
Dimensions / Maße in mm
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3W
1…200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25/C
TA = 25/C
Ptot
PZSM
3.0 W 1)
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+175/C
RthA < 40 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
RthL < 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3) The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
216 28.02.2002
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3EZ8.2 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) | Diotec Semiconductor |
| 3EZ8.2D10 | SILICON ZENER DIODES |  EIC |
| 3EZ8.2D5 | 3W SILICON ZENER DIODE |  Jinan Gude Electronic Device |
| 3EZ8.2D5 | SILICON ZENER DIODES |  EIC discrete Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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