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3SK222 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 3SK222은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3SK222 자료 제공

부품번호 3SK222 기능
기능 RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


3SK222 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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3SK222 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
3SK222
RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER
N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
4 PINS MINI MOLD
FEATURES
• The Characteristic of Cross-Modulation is good.
CM = 92 dBµ TYP. @ f = 200 MHz, GR = –30 dB
• Low Noise Figure:
NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz)
NF2 = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz)
• High Power Gain:
GPS = 23 dB TYP. (f = 200 MHz)
• Enhancement Type.
• Suitable for use as RF amplifier in FM tuner and VHF TV tuner.
• Automatically Mounting:
Embossed Type Taping
• Small Package:
4 Pins Mini Mold
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.2
–0.1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
Gate1 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage
VDSX
VG1S
VG2S
18
±8 (±10)*1
±8 (±10)*1
Gate1 to Drain Voltage
VG1D
18
Gate2 to Drain Voltage
VG2D
18
Drain Current
ID 25
Total Power Dissipation
PD
200
Channel Temperature
Tch
125
Storage Temperature
Tstg –55 to +125
*1 RL 10 k
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
5° 5°
5° 5°
1. Source
2. Drain
3. Gate 2
4. Gate 1
PRECAUTION
Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage
or fields.
Document No. P10574EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2267)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
© 199839




3SK222 pdf, 반도체, 판매, 대치품
OUTPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
2.5
ID = 10 mA
(at VDS = 6 V
VG2S = 4 V)
f = 1 MHz
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–1.0
0 1.0 2.0 3.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4.0
3SK222
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
10 ID = 10 mA
20
(at VDS = 6 V
VG2S = 4 V)
f = 200 MHz
GPS
10
50
–10
NF
–20
0
–2.0 0
2.0 4.0 6.0 8.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4

4페이지












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