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3SK253 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 3SK253은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3SK253 자료 제공

부품번호 3SK253 기능
기능 RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


3SK253 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3SK253 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
3SK253
RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER
N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
4 PINS MINI MOLD
FEATURES
• Low VDD Use
: (VDS = 3.5 V)
• Driving Battery
• Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz)
• High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz)
• Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.
• Automatically Mounting : Embossed Type Taping
• Package
: 4 Pins Mini Mold
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
Gate1 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage
VDSX
VG1S
VG2S
18
±8*1
±8*1
V
V
V
Gate1 to Drain Voltage
VG1D
18
V
Gate2 to Drain Voltage
VG2D
18
V
Drain Current
Total Power Dissipation
ID 25 mA
PD
200*2
mW
Channel Temperature
Tch 125 °C
Storage Temperature
Tstg –55 to +125 °C
*1: RL 10 k
*2: Free air
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
2.8 +–00..23
1.5 +–00..21
5° 5°
5° 5°
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
PRECAUTION:
Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage
fields.
Document No. P10583EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2372)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
© 1993




3SK253 pdf, 반도체, 판매, 대치품
3SK253
OUTPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
2.5
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
2.0 VG2S = 3.0 V)
f = 1 MHz
1.5
1.0
10
5
0.5
0
–1.0
0 1.0 2.0 3.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4.0
0
GPS AND NF TEST CIRCUIT AT f = 900 MHz
VG2S
1 000 pF
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
20
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
VG2S = 3.0 V)
f = 900 MHz
10
GPS
0
–10
NF
–20
–1.0
0 1.0 2.0 3.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4.0
47 k
1 000 pF
INPUT
50
to 10 pF
to 10 pF
L1
47 k
to 10 pF
L2
to 10 pF
OUTPUT
50
RFC
1 000 pF
VG1S
1 000 pF
VDD
L1, L2; 35 × 5 × 0.2 mm
4

4페이지












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