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3SK254 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 3SK254은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 3SK254 자료 제공

부품번호 3SK254 기능
기능 RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


3SK254 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3SK254 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
3SK254
RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER
N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
4 PINS SUPER MINI MOLD
FEATURES
• Low VDD Use
: (VDS = 3.5 V)
• Driving Battery
• Low Noise Figure : NF1 = 2.0 dB TYP. (f = 470 MHz)
NF2 = 0.8 dB TYP. (f = 55 MHz)
• High Power Gain : GPS = 19.0 dB TYP. (f = 470 MHz)
• Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner.
• Automatically Mounting : Embossed Type Taping
• Small Package
: 4 Pins Super Mini Mold
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
Gate1 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage
VDSX
VG1S
VG2S
18
±8*1
±8*1
V
V
V
Gate1 to Drain Voltage
VG1D
18
V
Gate2 to Drain Voltage
VG2D
18
V
Drain Current
Total Power Dissipation
ID
PD
25
130*2
mA
mW
Channel Temperature
Tch 125 °C
Storage Temperature
Tstg –55 to +125 °C
*1: RL 10 k
*2: Free air
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
2.1±0.2
1.25±0.1
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
PRECAUTION:
Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage
or fields.
Document No. P10585EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2307)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
© 1993




3SK254 pdf, 반도체, 판매, 대치품
3SK254
OUTPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
2.5
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
2.0 VG2S = 3.0 V)
f = 1 MHz
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
10
20
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
VG2S = 3.0 V)
f = 470 MHz
10
GPS
1.5
50
1.0
–10
0.5 NF
0
–1.0
0
1.0 2.0 3.0 4.0
–20
0
–1.0
0
1.0 2.0 3.0 4.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4

4페이지












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