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3SK255 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 3SK255은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3SK255 자료 제공

부품번호 3SK255 기능
기능 RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


3SK255 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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3SK255 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
3SK255
RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER
N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
4 PINS SUPER MINI MOLD
FEATURES
• Low VDD Use
: (VDS = 3.5 V)
• Driving Battery
• Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz)
• High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz)
• Suitable for uses as RF amplifier in UHF TV tuner.
• Automatically Mounting : Embossed Type Taping
• Small Package
: 4 Pins Super Mini Mold
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
2.1±0.2
1.25±0.1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
Gate1 to Source Voltage
Gate2 to Source Voltage
VDSX
VG1S
VG2S
18
±8*1
±8*1
V
V
V
Gate1 to Drain Voltage
VG1D
18
V
Gate2 to Drain Voltage
VG2D
18
V
Drain Current
ID 25 mA
Total Power Dissipation
PD
130 mW
Channel Temperature
Tch 125 °C
Storage Temperature
Tstg –55 to +125 °C
*1: RL 10 k
*2: Free air
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
PRECAUTION
Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage
or fields.
Document No. P10586EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
© 1993




3SK255 pdf, 반도체, 판매, 대치품
3SK255
OUTPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
2.5
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
2.0 VG2S = 3.0 V)
f = 1 MHz
1.5
1.0
10
5
0.5
0
–1.0
0 1.0 2.0 3.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4.0
0
S-Parameter
VDS = 3.5 V, VG2S = 3 V, ID = 7 mA
Frequency
(MHz)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
S11
MAG
ANG
1.017
–6.5
1.000
–13.4
0.999
–19.8
0.993
–26.6
0.984
–32.6
0.966
–39.1
0.948
–45.5
0.934
–51.4
0.908
–57.5
0.901
–83.8
S21
MAG
ANG
2.057
173.3
2.034
163.6
1.991
155.5
1.996
146.8
1.956
136.7
1.930
130.4
1.901
122.7
1.897
114.5
1.897
105.6
1.984
96.6
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
20
ID = 7 mA
(at VDS = 3.5 V,
VG2S = 3.0 V)
f = 900 MHz
10
GPS
0
–10
NF
–20
–1.0
0 1.0 2.0 3.0
VG2S – Gate2 to Source Voltage – V
4.0
S12
MAG
ANG
0.035
–88.2
0.014 –121.6
0.006
67.0
0.006
71.3
0.005
117.8
0.002
–23.3
0.002 –162.4
0.003
37.8
0.011 –146.3
0.010 –144.3
S22
MAG
ANG
0.985
–2.9
0.987
–6.9
0.988
–10.4
0.983
–13.8
0.985
–17.1
0.983
–20.8
0.979
–24.6
0.986
–27.9
0.991
–32.1
1.024
–36.4
4

4페이지










3SK255 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
3SK255
7

7페이지


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