Datasheet.kr   

3SK290 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 3SK290은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 3SK290 자료 제공

부품번호 3SK290 기능
기능 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


3SK290 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

3SK290 데이터시트, 핀배열, 회로
3SK290
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
Application
UHF RF amplifier
Features
· Low noise figure.
NF = 2.3 dB Typ. at f = 900 MHz
· High gain.
PG = 19.3 dB Typ. at f = 900 MHz
Outline
CMPAK–4
2
3
1
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
ADE-208-271
1st. Edition




3SK290 pdf, 반도체, 판매, 대치품
3SK290
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
200
150
100
50
0 50 100 150 200
Ambient Temperature Ta (¡C)
Typical Output Characteristics
20
VG2S = 3 V
1.2 V
1.0 V
16
12 0.8 V
8 0.6 V
4 0.4 V
VG1S = 0.2V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain Current vs.
Gate 1 to Source Voltage
20
3.0 V
VDS = 6 V
16
2.5 V
2.0 V
12 1.5 V
8
4 VG2S = 1.0 V
Drain Current vs.
Gate 2 to Source Voltage
20
VDS = 6 V
1.5 V
16 3.0 V
2.5 V
1.0 V
12 2.0 V
8
VG1S = 0.5 V
4
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
Gate 1 to Source Voltage VG1S (V)
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
Gate 2 to Source Voltage VG2S (V)
4

4페이지










3SK290 전자부품, 판매, 대치품
S Parameter (VDS = 4 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA, ZO = 50 ½)
Freq.
(MHz)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
S11
MAG.
0.998
0.994
0.997
0.991
0.993
0.980
0.976
0.971
0.962
0.955
0.945
0.939
0.927
0.925
0.911
0.901
0.893
0.881
0.876
0.869
ANG.
–3.3
–6.7
–10.2
–13.5
–16.9
–20.8
–23.7
–27.0
–30.7
–33.7
–36.9
–40.2
–43.3
–46.5
–49.4
–52.3
–55.9
–59.0
–61.5
–64.3
S21
MAG.
2.17
2.20
2.19
2.17
2.16
2.12
2.10
2.08
2.05
2.03
1.99
1.96
1.93
1.90
1.87
1.84
1.81
1.78
1.75
1.71
ANG.
176
172
168
163
159
155
151
146
142
139
135
131
127
123
120
116
112
108
105
102
S12
MAG.
0.001
0.001
0.002
0.003
0.004
0.004
0.005
0.005
0.006
0.006
0.006
0.006
0.006
0.006
0.006
0.006
0.005
0.005
0.005
0.005
ANG.
41.3
88.9
74.4
81.6
79.7
72.6
66.9
70.9
67.7
63.9
64.1
63.9
59.9
60.0
58.3
60.3
62.0
61.2
65.0
68.8
3SK290
S22
MAG.
0.971
0.971
0.970
0.969
0.967
0.965
0.962
0.959
0.956
0.953
0.950
0.946
0.942
0.939
0.933
0.930
0.925
0.921
0.917
0.913
ANG.
–1.9
–4.5
–7.1
–9.8
–12.1
–14.8
–17.3
–19.7
–22.1
–24.8
–27.2
–29.5
–32.1
–34.6
–36.7
–39.1
–41.5
–43.8
–46.1
–48.4
7

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ 3SK290.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
3SK290

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
3SK291

N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER/ UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵