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PDF 3SK300 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3SK300 | |
| Descripción | Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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3SK300
Silicon N Channel Dual Gate MOS FET
UHF / VHF RF Amplifier
Features
• Low noise figure
NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz
• High gain
PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz
Outline
MPAK-4
2
3
1
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
ADE-208-449
1st. Edition
1 page  
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
30
VDS = 6 V
f = 1kHz
3V
24
2.5 V
18
2V
12
1.5 V
6 1V
VG2S = 0.5 V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Gate1 to source voltage VG1S (V)
Noise Figure vs. Drain Current
5
VDS = 6 V
4
VG2S = 3V
f = 200MHz
3
2
1
0 4 8 12 16 20
Drain current ID (mA)
3SK300
Power Gain vs. Drain Current
50
VDS = 6 V
40
VG2S = 3V
f = 200MHz
30
20
10
0 4 8 12 16 20
Drain current ID (mA)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
50
VG2S = 3V
40
ID = 10mA
f = 200MHz
30
20
10
0 2 4 6 8 10
Drain to source voltage VDS (V)
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3SK300 | Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier | Hitachi Semiconductor |
| 3SK309 | GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier | Hitachi Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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