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부품번호 | 3SK317 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
3SK317
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
UHF / VHF RF Amplifier
Features
• Low noise characteristics;
(NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz)
• High power gain characteristics ;
(PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz)
Outline
Note: Marking is “ZR-”.
CMPAK-4
2
3
1
4 1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
ADE-208-778 (Z)
1st. Edition
Mar. 1999
3SK317
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
30
VDS= 6 V
f = 1kHz
3V
24
2.5 V
18
2V
12
1.5 V
6 1V
VG2S = 0.5 V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Gate1 to source voltage VG1S (V)
Power Gain vs. Drain Current
50
VDS= 6 V
40
VG2S= 3V
f = 200MHz
30
20
10
0 4 8 12 16 20
Drain current I D (mA)
Noise Figure vs. Drain Current
5
VDS= 6 V
4
VG2S= 3V
f = 200MHz
3
2
1
0 4 8 12 16 20
Drain current I D (mA)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
50
VG2S= 3V
40
I D = 10mA
f = 200MHz
30
20
10
0 2 4 6 8 10
Drain to source voltage VDS (V)
4
4페이지 Package Dimensions
0.3
+
–
0.1
0.05
3
2.0 ±0.2
1.3
0.65 0.65
2
0.3
+
–
0.1
0.05
4
0.3
+
–
0.1
0.05
1
0.65 0.6
1.25
0.4
+
–
0.1
0.05
0.16
+
–
0.1
0.06
0 ~ 0.1
3SK317
Unit: mm
Hitahi Code CMPAK-4
EIAJ
SC-82AB
JEDEC
—
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3SK317 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier | Hitachi Semiconductor |
3SK318 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier | Hitachi Semiconductor |
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