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부품번호 | LWE2010S 기능 |
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기능 | NPN microwave power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
LWE2010S
NPN microwave power transistor
Product specification
Supersedes data of November 1994
File under Discrete Semiconductors, SC15
1997 Feb 19
Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
Product specification
LWE2010S
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Rth j-mb
Rth mb-h
thermal resistance from junction to mounting base Tj = 75 °C
thermal resistance from mounting base to heatsink note 1
Note
1. See “Mounting recommendations in the General part of handbook SC15”.
MAX.
22
2
UNIT
K/W
K/W
CHARACTERISTICS
Tmb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO
collector cut-off current
IEBO emitter cut-off current
hFE DC current gain
CONDITIONS
VCB = 20 V; IE = 0
VCB = 40 V; IE = 0
VEB = 1.5 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 110 mA
MIN.
−
−
−
15
MAX.
75
500
200
150
UNIT
µA
µA
nA
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to Tmb = 25 °C in a common emitter class A selective amplifier.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
VCE
(V)
IC
(mA)
PL1
(W)
Gpo
(dB)
ZI
(Ω)
Class A (CW); note 1
2.3 18 110 ≥0.8; ≥8; 5.2 + j 16.5
typ. 0.9 typ. 9
Note
1. In narrowband test circuit shown in Fig.4.
ZL
(Ω)
7.5 + j 8.75
1997 Feb 19
4
4페이지 Philips Semiconductors
NPN microwave power transistor
Product specification
LWE2010S
handbook, full pagewidth
1
0.5 2
2.3 GHz
0.2 2 GHz Z i
5
+j
0
–j
10
∞0.2 0.5
1
2
5 10
10
0.2 5
PL1 = 0.8 W;
VCE = 18 V;
ZO = 50 Ω;
IC = 110 mA.
0.5
1
2
MGA253
Fig.6 Input impedance as a function of frequency associated with optimum load impedances.
handbook, full pagewidth
1
0.5 2
0.2 Z L 2 GHz
5
2.3 GHz
10
+j
∞0.2 0.5
1
2
5 10
0
–j
10
0.2 5
PL1 = 0.8 W;
VCE = 18 V;
ZO = 50 Ω;
IC = 110 mA.
1997 Feb 19
0.5
1
2
MGA252
Fig.7 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values.
7
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