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부품번호 | FJA13009 기능 |
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기능 | High Voltage Switch Mode Applications | ||
제조업체 | Fairchild Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
FJA13009
High Voltage Switch Mode Applications
• High Speed Switching
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1 TO-3P
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VCBO
V CEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
TJ
TSTG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (TC=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
700
400
9
12
24
6
130
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
VCEO(sus)
IEBO
hFE
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Cob Output Capacitance
fT Current Gain Bandwidth Product
tON Turn On Time
tSTG
Storage Time
tF Fall Time
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2% Pulse
IC = 10mA, IB = 0
VEB = 7V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 5A
VCE = 5V, IC = 8A
IC = 5A, IB = 1A
IC = 8A, IB = 1.6A
IC = 12A, IB = 3A
IC = 5A, IB = 1A
IC = 8A, IB = 1.6A
VCB = 10V , f = 0.1MHz
VCE = 10V, IC = 0.5A
VCC =125V, IC = 8A
IB1 = - IB2 = 1.6A
RL = 15,6Ω
Min.
400
8
6
4
Typ.
180
Max.
1
40
30
1
1.5
3
1.2
1.6
1.1
3
0.7
Units
V
mA
V
V
V
V
V
pF
MHz
µs
µs
µs
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2003
Package Dimensions
TO-3P
ø3.20 ±0.10
15.60 ±0.20
13.60 ±0.20
9.60 ±0.20
4.80 ±0.20
1.50
+0.15
–0.05
2.00 ±0.20
3.00 ±0.20
1.00 ±0.20
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
1.40 ±0.20
0.60
+0.15
–0.05
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Dimensions in Millimeters
Rev. A, May 2003
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
FJA13009 | Silicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor) | NELL SEMICONDUCTOR |
FJA13009 | High Voltage Switch Mode Applications | Fairchild Semiconductor |
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