|
|
|
부품번호 | FJNS4213R 기능 |
|
|
기능 | PNP Epitaxial Silicon Transistor | ||
제조업체 | Fairchild Semiconductor | ||
로고 | |||
FJNS4213R
Switching Application (Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R1=2.2KΩ, R2=47KΩ)
• Complement to FJNS3213R
1 TO-92S
1.Emitter 2. Collector 3. Base
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
TSTG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
-50
-50
-10
-100
300
150
-55 ~ 150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Equivalent Circuit
R1
B
R2
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
BVCBO
BVCEO
ICBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
IC= -10µA, IE=0
IC= -100µA, IB=0
VCB= -40V, IE=0
VCE= -5V, IC= -5mA
IC= -10mA, IB= -0.5mA
VCE= -10V, IC=-5mA
VCB= -10V, IE=0
f=1.0MHz
VI(off)
VI(on)
R1
R1/R2
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
VCE= -5V, IC= -100µA
VCE= -0.2V, IC= -10mA
Min.
-50
-50
68
Typ.
200
5.5
Max.
-0.1
-0.3
-0.5
1.5
0.042
2.2
0.047
-1.1
2.9
0.052
C
E
Units
V
V
µA
V
MHz
pF
V
V
KΩ
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ FJNS4213R.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
FJNS4213R | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |