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FK20SM-10 데이터시트 PDF




Powerex Power Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FK20SM-10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FK20SM-10 자료 제공

부품번호 FK20SM-10 기능
기능 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
제조업체 Powerex Power Semiconductors
로고 Powerex Power Semiconductors 로고


FK20SM-10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FK20SM-10 데이터시트, 핀배열, 회로
FK20SM-10
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FK20SM-10
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
15.9MAX.
r
φ 3.2
Dimensions in mm
4.5
1.5
2
1.0
q we
5.45 5.45
4.4
0.6 2.8
¡VDSS ................................................................................ 500V
¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.36
¡ID ......................................................................................... 20A
¡Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) ........150ns
APPLICATION
Servo motor drive, Robot, UPS, Inverter Fluorecent
lamp, etc.
4
wr
q GATE
q
w DRAIN
e SOURCE
r DRAIN
e
TO-3P
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IS
ISM
PD
Tch
Tstg
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
Typical value
Conditions
Ratings
500
±30
20
60
20
60
275
–55 ~ +150
–55 ~ +150
4.8
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999




FK20SM-10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CAPACITANCE VS.
DRAIN-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
7
5
3 Ciss
2
103
7
5
3 Coss
2
102
7
5 Tch = 25°C
f = 1MHz
Crss
3 VGS = 0V
2
2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
Tch = 25°C
ID = 20A
16
VDS = 100V
200V
12
8 400V
4
0
0 40 80 120 160 200
GATE CHARGE Qg (nC)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7 VGS = 10V
5 ID = 1/2ID
Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
0
50 100 150 200 250
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FK20SM-10
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
103
7
5
td(off)
3
Tch = 25°C
VDD = 200V
VGS = 10V
RGEN = RGS = 50
2
102
7 td(on)
5
tr
3
tf
2
101
100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102
DRAIN CURRENT ID (A)
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
50
TC=125°C
VGS = 0V
Pulse Test
40 25°C
30 75°C
20
10
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
Feb.1999

4페이지












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