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FK7KM-12 데이터시트 PDF




Powerex Power Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FK7KM-12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FK7KM-12 자료 제공

부품번호 FK7KM-12 기능
기능 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
제조업체 Powerex Power Semiconductors
로고 Powerex Power Semiconductors 로고


FK7KM-12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FK7KM-12 데이터시트, 핀배열, 회로
FK7KM-12
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FK7KM-12
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
φ 3.2 ± 0.2
¡VDSS ................................................................................ 600V
¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 1.63
¡ID ............................................................................................ 7A
¡Viso ................................................................................ 2000V
¡Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) ........150ns
APPLICATION
Servo motor drive, Robot, UPS, Inverter Fluorecent
lamp, etc.
2.54 ± 0.25
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
0.75 ± 0.15
123
w
q GATE
q w DRAIN
e SOURCE
e
TO-220FN
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IS
ISM
PD
Tch
Tstg
Viso
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
Conditions
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Ratings
600
±30
7
21
7
21
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Vrms
g
Feb.1999




FK7KM-12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CAPACITANCE VS.
DRAIN-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
2
Ciss
103
7
5
3
2
102 Coss
7
5
3
2
101 Tch = 25°C
7
5
f = 1MHz
VGS = 0V
Crss
2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
Tch = 25°C
ID = 7A
16
VDS = 100V
200V
12
400V
8
4
0
0 20 40 60 80 100
GATE CHARGE Qg (nC)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7 VGS = 10V
5 ID = 1/2ID
Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
0
50 100 150 200 250
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FK7KM-12
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
103
7
Tch = 25°C
VDD = 200V
5 VGS = 10V
RGEN = RGS = 50
3
2
td(off)
102
7
5 tf
3 tr
2 td(on)
101
10–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101
DRAIN CURRENT ID (A)
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
40
VGS = 0V
Pulse Test
32
24 TC =
125°C
16
75°C
8
25°C
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
Feb.1999

4페이지












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