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부품번호 | FMBA14 기능 |
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기능 | NPN Multi-Chip Darlington Transistor | ||
제조업체 | Fairchild Semiconductor | ||
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전체 3 페이지수
Discrete POWER & Signal
Technologies
FMBA14
C2
E1
C1
B2
E2
pin #1 B1
SuperSOT™-6
Mark: .1N
NPN Multi-Chip Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current
gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
VCES
VCBO
VEBO
IC
TJ, Tstg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
30
30
10
1.2
-55 to +150
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
FMBA14
700
5.6
180
Units
V
V
V
A
°C
Units
mW
mW/°C
°C/W
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
FMBA14 | NPN Multi-Chip Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
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