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FBR806 데이터시트 PDF




EIC discrete Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FBR806은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FBR806 자료 제공

부품번호 FBR806 기능
기능 FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
제조업체 EIC discrete Semiconductors
로고 EIC discrete Semiconductors 로고


FBR806 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FBR806 데이터시트, 핀배열, 회로
FBR800 - FBR810
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 8.0 Amperes
FEATURES :
* High case dielectric strength
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Fast switching for high efficiency
* Ideal for printed circuit board
MECHANICAL DATA :
* Case : Reliable low cost construction
utilizing molded plastic technique
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per
MIL - STD 202 , Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Any
* Weight : 6.1 grams
FAST RECOVERY
BRIDGE RECTIFIERS
BR10
φ 0.158 (4.00)
0.142 (3.60)
0.290 (7.36)
0.210 (5.33)
0.520 (13.20)
0.480 (12.20)
AC
0.77 (19.56)
0.73 (18.54)
AC
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
0.30 (7.62)
0.25 (6.35)
0.75 (19.1)
Min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
SYMBOL FBR FBR FBR FBR FBR FBR FBR UNITS
800 801 802 804 806 808 810
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Maximum RMS Voltage
VRMS
35 70 140 280 420 560 700 Volts
Maximum DC Blocking Voltage
VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Maximum Average Forward Current Tc = 50 °C
IF(AV)
8.0 Amps.
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
IFSM
I2t
200 Amps.
160 A2S
Maximum Forward Voltage drop per Diode at IF = 4.0 Amps.
VF
1.3 Volts
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25 °C
IR
10 µA
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 100 °C
I R(H)
200 µA
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Trr
150
250 500
ns
Typical Thermal Resistance per diode (Note 2)
RθJC
2.5 °C/W
Operating Junction Temperature Range
TJ
- 50 to + 150
°C
Storage Temperature Range
T STG
- 50 to + 150
°C
Notes :
1 ) Measured with IF = 0.5 Amp., IR = 1 Amp., Irr = 0.25 Amp.
2 ) Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" THK (8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al. Plate. heatsink.
UPDATE : APRIL 21, 1998





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