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FDC3512 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDC3512은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDC3512 자료 제공

부품번호 FDC3512 기능
기능 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDC3512 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDC3512 데이터시트, 핀배열, 회로
February 2002
FDC3512
80V N-Channel PowerTrenchMOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Applications
DC/DC converter
Features
3.0 A, 80 V
RDS(ON) = 77 m@ VGS = 10 V
RDS(ON) = 88 m@ VGS = 6 V
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Low gate charge (13nC typ)
High power and current handling capability
Fast switching speed
S
D
D
SuperSOT TM-6
G
DD
16
25
34
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
VGSS
ID
PD
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
.352
FDC3512
7’’
Ratings
80
± 20
3.0
20
1.6
0.8
–55 to +150
78
30
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
3000 units
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3512 Rev B2 (W)




FDC3512 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
10
ID = 3.0A
8
6
VDS = 20V
60V
40V
4
2
0
0 3 6 9 12 15
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
VGS = 10V
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 156oC/W
TA = 25oC
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1000
800
600
CISS
f = 1MHz
VGS = 0 V
400
200 COSS
CRSS
0
0 20 40 60
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
80
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
RθJA = 156°C/W
40 TA = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1 1 10
t1, TIME (sec)
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 156°C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC3512 Rev B2(W)

4페이지












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