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FDC6318 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDC6318은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDC6318 자료 제공

부품번호 FDC6318 기능
기능 Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDC6318 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDC6318 데이터시트, 핀배열, 회로
December 2001
FDC6318P
Dual P-Channel 1.8V PowerTrenchSpecified MOSFET
General Description
These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are
produced using Fairchild Semiconductor's advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
to minimize on-state resistance and yet maintain low
gate charge for superior switching performance.
Applications
Power management
Load switch
Features
–2.5 A, –12 V. RDS(ON) = 90 m@ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 125 m@ VGS = –2.5 V
RDS(ON) = 200 m@ VGS = –1.8 V
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
SuperSOTTM-6 package: small footprint (72%
smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)
D2
S1
D1
SuperSOT TM-6
G2
S2
G1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
.318
FDC6318P
13’’
4
5
6
Ratings
–12
±8
–2.5
–7
0.96
0.9
0.7
–55 to +150
130
60
Tape width
12mm
3
2
1
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
3000 units
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC6318P Rev D (W)




FDC6318 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = -2.5A
4
3
VDS = -4V
-6V
-8V
2
1
0
0246
Qg, GATE CHARGE (nC)
8
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10 RDS(ON) LIMIT
1
VGS = -4.5V
SINGLE PULSE
0.1 RθJA = 130oC/W
TA = 25oC
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
800
600
400
200
0
0
CISS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
369
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
12
Figure 8. Capacitance Characteristics.
20
SINGLE PULSE
RθJA = 130°C/W
TA = 25°C
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1 1 10
t1, TIME (sec)
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA = 130oC/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1, TIME (sec)
1
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC6318P Rev D (W)

4페이지












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