Datasheet.kr   

FDD6670A 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD6670A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDD6670A 자료 제공

부품번호 FDD6670A 기능
기능 N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDD6670A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FDD6670A 데이터시트, 핀배열, 회로
February 2000
FDD6670A
N-Channel, Logic Level, PowerTrenchMOSFET
General Description
This N-Channel Logic level MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process
that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for superior
switching performance.
Applications
DC/DC converter
Motor drives
Features
66 A, 30 V. RDS(on) = 0.008 @ VGS = 10 V
RDS(on) = 0.010 @ VGS = 4.5 V.
Low gate charge (35nC typical).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low RDS(on).
D
D
G
S
TO-252
Absolute Maximum Ratings TC=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
TJ, Tstg
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current -Continuous
(Note 1)
TA = 25oC (Note 1a)
Maximum Drain Current -Pulsed
Maximum Power Dissipation
TC = 25oC
TA = 25oC
TA = 25oC
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJC
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
G
S
Ratings
30
±20
66
15
100
70
3.2
1.3
-55 to +150
1.8
40
96
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
FDD6670A
FDD6670A
13’’
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
Tape width
16mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
°C/W
Quantity
2500
FDD6670A, Rev. C




FDD6670A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
10
ID = 15A
8
6
VDS = 5V
10V
15V
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Qg, GATE CHARGE (nC)
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
CISS
f = 1MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
5 10 15 20 25
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1000
RDS(ON) LIMIT
100
10
1
VGS = 10V
SINGLE PULSE
0.1 RθJA = 96 oC/W
TA = 25oC
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
200
SINGLE PULSE
RθJA = 96 °C/W
150 TA = 25°C
100
50
0
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10 100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.0001
0.001
SINGLE PULSE
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 96 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDD6670A, Rev. C

4페이지










FDD6670A 전자부품, 판매, 대치품
TO-252 Tape and Reel Data and Package Dimensions
TO-252 (FS PKG Code AA)
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.300
September 1999, Rev. A

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ FDD6670A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDD6670

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
FDD6670A

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵