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FDG326 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDG326은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDG326 자료 제공

부품번호 FDG326 기능
기능 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDG326 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDG326 데이터시트, 핀배열, 회로
January 2001
FDG326P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET
General Description
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications.
Applications
Battery management
Load switch
Features
–1.5 A, –20 V.
RDS(ON) = 140 m@ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 180 m@ VGS = –2.5 V
RDS(ON) = 250 m@ VGS = –1.8 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Compact industry standard SC70-6 surface mount
package
SC70-6
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
PD
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
.26
FDG326P
7’’
16
25
34
Ratings
–20
±8
–1.5
–6
0.75
0.48
-55 to +150
260
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
Quantity
3000 units
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG326P Rev D(W)




FDG326 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = -1.5A
4
3
2
VDS = -5V
-15V
-10V
1
0
0123456
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10 RDS(ON) LIMIT
100µs
1ms
1
VGS = -4.5V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA = 260oC/W
TA = 25oC
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
700
600
500
400
300
200
100
0
0
CISS
f = 1MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
5 10 15
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
30
SINGLE PULSE
RθJA = 260oC/W
24 TA = 25oC
18
12
6
0
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
10
100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 260 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
100
1000
FDG326P Rev D(W)

4페이지












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