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FDN302 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDN302은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDN302 자료 제공

부품번호 FDN302 기능
기능 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDN302 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDN302 데이터시트, 핀배열, 회로
October 2000
FDN302P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchMOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged
gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
applications with a wide range of gate drive voltage
(2.5V – 12V).
Applications
Power management
Load switch
Battery protection
Features
–20 V, –2.4 A. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 0.080 @ VGS = –2.5 V
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher
power handling capability than SOT23 in the same
footprint
D
D
S
SuperSOTTM-3
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
302
FDN302P
7’’
GS
Ratings
20
±12
2.4
10
0.5
0.46
55 to +150
250
75
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
3000 units
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN302P Rev C(W)




FDN302 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = -2.4A
4
3
2
1
0
02
VDS = -5V
-10V
-15V
46
Qg, GATE CHARGE (nC)
8
10
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
VGS =-4.5V
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 270oC/W
TA = 25oC
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
CISS
f = 1MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
2 4 6 8 10
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
12
Figure 8. Capacitance Characteristics.
20
SINGLE PULSE
RθJA = 270°C/W
TA = 25°C
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1 1 10
t1, TIME (sec)
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.0001
SINGLE PULSE
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 270 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDN302P Rev C(W)

4페이지












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