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FDN336 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDN336은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDN336 자료 제공

부품번호 FDN336 기능
기능 Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDN336 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDN336 데이터시트, 핀배열, 회로
November 1998
FDN336P
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
These devices are well suited for portable electronics
applications: load switching and power management,
battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features
-1.3 A, -20 V. RDS(ON) = 0.20 @ VGS = -4.5 V
RDS(ON) = 0.27 @ VGS= -2.5 V.
Low gate charge (3.6 nC typical).
High performance trench technology for extremely low
RDS(ON).
High power version of industry standard SOT-23 package.
Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling
capability.
SOT-23
SuperSOTTM-6
SuperSOTTM-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
336
SuperSOTTM-3
G
S
D
GS
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted
Symbol Parameter
VDSS Drain-Source Voltage
VGSS Gate-Source Voltage
ID Drain Current
- Continuous
- Pulsed
PD Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1)
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN336P
-20
±8
-1.3
-10
0.5
0.46
-55 to +150
250
75
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
FDN336P Rev.C




FDN336 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Electrical Characteristics (continued)
5
I D = -1.3A
4
3
VDS= -5V
-10V
-15V
2
1
0
0123
Qg , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
4
30
10
3
RDS(ON) LIMIT
1ms
10ms
1 100ms
0.3
0.1 VGS = -4.5V
SINGLE PULSE
1s
D1C0s
0.03 R θJA = 270°C/W
T A = 25°C
0.01
0.2
0.5 1
35
10
-VDS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
700
400
Ciss
200
100
Coss
40 f = 1 MHz
VGS = 0 V
Crss
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
-V DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
40 SINGLE PULSE
R θJA =270°C/W
TA = 25°C
30
20
10
0
0.0001 0.001
0.01 0.1
1
10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
100 300
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , TIME (sec)
1
R θJA (t) = r(t) * RθJA
RθJA = 270 °C/W
P(pk)
t1 t 2
TJ - TA = P * RθJA (t)
Duty Cycle, D = t1 /t2
10 100 300
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDN336P Rev.C

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