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FDN361 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDN361은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDN361 자료 제공

부품번호 FDN361 기능
기능 N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDN361 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDN361 데이터시트, 핀배열, 회로
April 1999
FDN361AN
N-Channel, Logic Level, PowerTrenchΤΜ
General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor's PowerTrench process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance
and yet maintain low gate charge for superior switching
performance.
Applications
DC/DC converter
Load switch
Motor drives
Features
1.8 A, 30 V. RDS(on) = 0.100 @ VGS = 10 V
RDS(on) = 0.150 @ VGS = 4.5 V.
Low gate charge ( 2.1nC typical ).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low RDS(on).
High power version of industry standard SOT-23
package. Identical pin out to SOT-23 with
30% higher power handling capability.
DD
S
SuperSOTTM-3
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage - Continuous
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
361
FDN361AN
7’’
GS
FDN361AN
30
±20
1.8
8
0.5
0.46
-55 to +150
250
75
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FDN361AN, Rev. C




FDN361 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
10
ID = 1 .8 A
8
6
VD S = 5 V
10 V
15 V
4
2
0
01234
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
30
10
3 RD S(ON) LIMIT
1
0. 3
VGS = 10 V
0.1 SINGLE PUL SE
1ms
10 ms
100
101ss
ms
DC
0. 03
RθJ A=270 °C/W
TA = 2 5°C
0. 01
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20 30
VD S ,DRAIN-SOURCE VOLTAG E (V)
50
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
500
200 C i ss
100
50 Co ss
f = 1 MHz
20 VGS = 0 V
Crss
10
0. 1
0. 2
0.5 1
2
5 10
VD S, DRAIN TO SOURCE VO LTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
40
RθJA =27 0° C/W
TA = 25°C
30
20
10
0
0. 0001
0. 001
0. 01 0.1 1 10
SI NGLE PULSE TI ME (SEC)
100 300
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
0.2
0.1
0.0 5
0.0 2
0.0 1
0 . 00 5
D = 0.5
0.2
0.1
0 0. 5
0 0. 2
0 0. 1
Si n g l e P u l s e
0 . 00 2
0 . 00 1
0 .00 0 1
0 . 00 1
0.0 1
0.1
t1, TIM E (s ec )
1
R θJ A (t) = r(t) * RθJ A
RθJ A = 270 °C /W
P(p k )
t1
t2
TJ - TA =P * RθJ A (t)
Du
t
y
Cy
c
le,
D=
t
1
/
t2
10 100 300
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDN361AN, Rev. C

4페이지










FDN361 전자부품, 판매, 대치품
SuperSOTTM-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
SuperSOT-3 (FS PKG Code 32)
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Di mensions shown below are in:
inches [mil limeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
September 1998, Rev. A

7페이지


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