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FDS3912 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS3912은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS3912 자료 제공

부품번호 FDS3912 기능
기능 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS3912 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS3912 데이터시트, 핀배열, 회로
October 2001
FDS3912
100V Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
These N-Channel MOSFETs have been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is
easy and safer to drive (even at very high frequencies),
and DC/DC power supply designs with higher overall
efficiency.
Features
3 A, 100 V.
RDS(ON) = 125 m@ VGS = 10 V
RDS(ON) = 135 m@ VGS = 6 V
Fast switching speed
Low gate charge (14 nC typ)
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability
5
6 Q1
7
8 Q2
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
FDS3912
FDS3912
13’’
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Ratings
100
±20
3
20
2
1.6
1.0
0.9
–55 to +175
78
40
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units
FDS3912 Rev C2(W)




FDS3912 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
20
VGS = 10V
5.0V
4.5V
16
12
4.0V
8
4
3.5V
0
0246
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
8
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.2
2 ID = 3A
VGS = 10V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
20
VDS = 10V
16
12
8
TA = 125oC
25oC
4
-55oC
0
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
1.8
1.6
VGS = 4.0V
1.4
4.5V
1.2 5.0V
6.0V
10V
1
0.8
0
4 8 12 16
ID, DRAIN CURRENT (A)
20
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.3
0.25
0.2
TA = 125oC
ID = 1.5A
0.15
0.1
TA = 25oC
0.05
3
456789
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
VGS = 0V
10
1
0.1
TA = 125oC
25oC
0.01
0.001
-55oC
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS3912 Rev C2(W)

4페이지












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