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FDS4435 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS4435은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS4435 자료 제공

부품번호 FDS4435 기능
기능 P-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS4435 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS4435 데이터시트, 핀배열, 회로
October 2001
FDS4435
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 25V).
Applications
Power management
Load switch
Battery protection
Features
–8.8 A, –30 V
RDS(ON) = 20 m@ VGS = –10 V
RDS(ON) = 35 m@ VGS = –4.5 V
Low gate charge (17nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability
DD
DD
DD
DD
SO-8
Pin 1SO-8 SS SS SS GG
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
V GSS
ID
PD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
(Note 1c)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
FDS4435
FDS4435
13’’
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
54
63
72
81
Ratings
–30
±25
–8.8
–50
2.5
1.2
1
–55 to +175
50
125
25
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units
FDS4435 Rev F1(W)




FDS4435 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
10
ID = -8.8A
8
VDS = -5V
-10V
-15V
6
4
2
0
0 6 12 18 24 30
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
100µ s
1ms
10ms
1
VGS = -10V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA = 125oC/W
T A = 25oC
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
2500
2000
1500
CISS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
1000
500
CRSS
0
0
COSS
5 10 15 20 25
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
RθJA = 125°C/W
40 TA = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 125oC/W
P(pk)
t1
TJ - TA = Pt2 * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
100
1000
FDS4435 Rev F1(W)

4페이지












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