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FDS4935A 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS4935A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS4935A 자료 제공

부품번호 FDS4935A 기능
기능 Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS4935A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS4935A 데이터시트, 핀배열, 회로
March 2002
FDS4935A
Dual 30V P-Channel PowerTrenchMOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 20V).
Applications
Power management
Load switch
Battery protection
Features
–7 A, –30 V
RDS(ON) = 23 m@ VGS = –10 V
RDS(ON) = 35 m@ VGS = –4.5 V
Low gate charge (15nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability
DD1DD1
DD2
DD2
SO-8
Pin 1 SO-8
SS2GS2SS1GG1
5
6 Q1
7
Q2
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
PD Power Dissipation for Dual Operation
PD
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
FDS4935A
FDS4935A
13’’
Ratings
–30
±20
–7
–30
2
1.6
1
0.9
–55 to +175
78
40
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4935A Rev A(W)




FDS4935A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
10
ID = -8.8A
8
6
4
2
0
04
VDS = -5V
-15V
-10V
8 12 16 20 24
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
VGS = -10V
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 135oC/W
TA = 25oC
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100µs
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
CISS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
5 10 15 20 25
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
RθJA = 135°C/W
40 TA = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10 100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 135 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS4935A Rev A(W)

4페이지












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