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FDS6912A 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS6912A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS6912A 자료 제공

부품번호 FDS6912A 기능
기능 Dual N-Channel/ Logic Level/ PowerTrenchTM MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS6912A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS6912A 데이터시트, 핀배열, 회로
June 1998
FDS6912A
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
These N-Channel Logic Level MOSFETs are
produced using Fairchild Semiconductor's
advanced PowerTrench process that has been
especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching
performance.
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line
power loss and fast switching are required.
Features
6 A, 30 V. RDS(ON) = 0.028 @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V.
Fast switching speed.
Low gate charge (typical 9 nC).
High performance trench technology for extremely low
RDS(ON).
High power and current handling capability.
SOT-23
SuperSOTTM-6
SuperSOTTM-8
D2
D2
D1
D1
F6D9S12A
SO-8
G2
S2
pin 1
G1
S1
SO-8
SOT-223
SOIC-16
54
63
72
81
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted
Symbol Parameter
VDSS Drain-Source Voltage
VGSS Gate-Source Voltage
ID Drain Current - Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
PD Power Dissipation for Single Operation (Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1)
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6912A
30
±20
6
20
2
1.6
0.9
-55 to 150
78
40
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
FDS6912A Rev.C




FDS6912A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Electrical Characteristics
10
ID = 6A
8
6
VDS = 5V
10V
15V
4
2
0
0 3 6 9 12 15 18
Qg , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
10 RDS(ON) LIMIT
2
0.5
VGS =10V
SINGLE PULSE
0.05 RθJA = 135°C/W
TA A= 25°C
100us
1ms
1001m0ms s
1s
D1C0s
0.01
0.1
0.5 1
2
5 10
VDS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
50
1500
500
C iss
200
100
50 f = 1 MHz
V GS = 0 V
Coss
Crss
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
VDS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
30
25
20
15
10
5
0
0.01
SINGLE PULSE
RθJA =135 °C/W
TA = 25°C
0.1 0.5
10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
50 100 300
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , TIME (sec)
1
R θJA (t) = r(t) * R θJA
R θJA =135° C/W
P(pk)
t1 t 2
TJ - TA = P * RθJA (t)
Duty Cycle, D = t1 /t2
10 100 300
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6912A Rev.C

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