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FDS7066N7 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS7066N7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDS7066N7 자료 제공

부품번호 FDS7066N7 기능
기능 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS7066N7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS7066N7 데이터시트, 핀배열, 회로
May 2003
FDS7066N7
30V N-Channel PowerTrenchMOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
“low side” synchronous rectifier operation, providing an
extremely low RDS(ON) in a small package.
Applications
Synchronous rectifier
DC/DC converter
Features
23 A, 30 V
RDS(ON) = 4.5 m@ VGS = 10 V
RDS(ON) = 5.5 m@ VGS = 4.5 V
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability
Fast switching
FLMP SO-8 package: Enhanced thermal
performance in industry-standard package size
Bottom-side
5 Drain Contact
6
7
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
VGSS
ID
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
PD
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
FDS7066N7
FDS7066N7
13’’
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Ratings
30
±16
23
60
3.0
1.7
–55 to +150
40
0.5
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units
FDS7066N7 Rev D2 (W)




FDS7066N7 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
10
ID = 23A
8
VDS = 5V
10V
15V
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
VGS = 10V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA = 85oC/W
TA = 25oC
0.01
0.01
0.1
1
10
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
6400
5600
4800
4000
3200
2400
1600
800
0
0
CISS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
COSS
CRSS
6 12 18 24
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
40 RθJA = 85°C/W
TA = 25°C
30
20
10
0
0.01
0.1 1 10
t1, TIME (sec)
100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.001
SINGLE PULSE
0.01
0.1
1
t1, TIME (sec)
10
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 85oC/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS7066N7 Rev D2 (W)

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