Datasheet.kr   

FDW2507N 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDW2507N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDW2507N 자료 제공

부품번호 FDW2507N 기능
기능 Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDW2507N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FDW2507N 데이터시트, 핀배열, 회로
March 2003
FDW2507N
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrenchMOSFET
General Description
This monolithic common drain N-Channel MOSFET has
been designed using Fairchild Semiconductor’s
advanced PowerTrench process to optimize the RDS(ON)
@ VGS = 2.5v on special TSSOP-8 lead frame with all
the drains on one side of the package.
Applications
Li-Ion Battery Pack
Features
7.5 A, 20 V.
RDS(ON) = 19 m@ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 23 m@ VGS = 2.5 V
Isolated source and drain pins
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON) @ VGS = 2.5 V
Low profile TSSOP-8 package
D
D
D
D
TSSOP-8
G2
S2
G1
S1
Pin 1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
PD
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
2507N
FDW2507N
13’’
1
2
3
4
Ratings
20
±12
7.5
30
1.6
1.1
–55 to +150
77
114
Tape width
12mm
8
7
6
5
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Quantity
3000 units
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDW2507N Rev C2




FDW2507N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = 7.5A
4
VDS = 5V
15V
3
10V
2
1
0
0 5 10 15 20 25
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
VGS = 4.5V
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 114oC/W
TA = 25oC
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
3000
2500
2000
CISS
f = 1MHz
VGS = 0 V
1500
1000
COSS
500
0
0
CRSS
4 8 12 16
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
SINGLE PULSE
RθJA = 114°C/W
TA = 25°C
0.1 1 10
t1, TIME (sec)
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA =114 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDW2507N Rev C2

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ FDW2507N.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDW2507N

Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
FDW2507NZ

Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵