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FDW254P 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDW254P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDW254P 자료 제공

부품번호 FDW254P 기능
기능 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDW254P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDW254P 데이터시트, 핀배열, 회로
August 2000
PRELIMINARY
FDW254P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET
General Description
This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process. It has been optimized for power
management applications with a wide range of gate
drive voltage (1.8V – 8V).
Applications
Load switch
Motor drive
DC/DC conversion
Power management
Features
–9.2 A, –20 V.
RDS(ON) = 0.012 @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 0.015 @ VGS = –2.5 V
RDS(ON) = 0.0215 @ VGS = –1.8 V
Rds ratings for use with 1.8 V logic
Low gate charge
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
Low profile TSSOP-8 package
D
S
S
D
TSSOP-8
G
S
S
D
Pin 1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1)
PD Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
254P
FDW254P
13’’
54
63
72
81
Ratings
-20
±8
-9.2
-50
1.3
0.6
-55 to +150
96
208
Tape width
12mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
Quantity
3000 units
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FDW254P Rev C (W)




FDW254P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = -9.2A
4
3
VDS = -6V
-10V
-8V
2
1
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
100µs
10ms
100ms
1s
10s
DC
VGS = -4.5V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA = 208oC/W
TA = 25oC
0.01
0.01
0.1
1
10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
10000
8000
6000
CISS
f = 1 MHz
VGS = 0 V
4000
2000
0
0
COSS
CRSS
5 10 15
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 208°C/W
TA = 25°C
1 10
t1, TIME (sec)
100 1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
RθJA(t) = r(t) + RθJA
RθJA = 208 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
10
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
100
1000
FDW254P Rev. C (W)

4페이지












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