Datasheet.kr   

FDZ204P 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDZ204P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDZ204P 자료 제공

부품번호 FDZ204P 기능
기능 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDZ204P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FDZ204P 데이터시트, 핀배열, 회로
March 2003
FDZ204P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench  BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified
PowerTrench process with state of the art BGA
packaging, the FDZ204P minimizes both PCB space
and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a
breakthrough in packaging technology which enables
the device to combine excellent thermal transfer
characteristics, high current handling capability, ultra-
low profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON).
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
DDD
S SS
G SS
Pin 1
Features
–4.5 A, –20 V. RDS(ON) = 45 m@ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 75 m@ VGS = –2.5 V
Occupies only 4 mm2 of PCB area.
Less than 40% of the area of a SSOT-6
Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when
mounted to PCB
Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit.
High power and current handling capability.
S
G
Bottom
Top
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
(Note 1a)
– Pulsed
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJB Thermal Resistance, Junction-to-Ball
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
204P
FDZ204P
7’’
D
Ratings
–20
±12
–4.5
–20
1.8
–55 to +150
67
11
1
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
°C/W
Quantity
3000 units
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ204P Rev. D2 (W)




FDZ204P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
20
VGS = -4.5V
-3.5V
15
-3.0V
-2.5V
10
-2.0V
5
0
01234
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
ID = -4.5A
VGS = -4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
15
VDS = -5V
10
TA = -55oC
25oC
125oC
5
0
0.5
1 1.5 2 2.5
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
Figure 5. Transfer Characteristics.
2
1.8
VGS = -2.5V
1.6
1.4 -3.0V
1.2 -3.5V
-4.0V
1
0.8
0
5 10 15
-ID, DRAIN CURRENT (A)
-4.5V
20
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.18
0.14
ID = -2.3 A
0.1
TA = 125oC
0.06
TA = 25oC
0.02
1.5
2 2.5 3 3.5 4 4.5
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
VGS = 0V
10
1
TA = 125oC
0.1
0.01
25oC
-55oC
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
-VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDZ204P Rev. D2 (W)

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ FDZ204P.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDZ2040L

Integrated Load Switch

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
FDZ204P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵